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FDD3670
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD3670Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4927
Re-reeling (Rollos a medida)31Y1354RL
Cinta adhesiva31Y1354
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $2.860 | $14.30 |
| Total Precio | $14.30 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $2.860 |
| 10+ | $1.930 |
| 15+ | $1.800 |
| 25+ | $1.670 |
| 50+ | $1.530 |
| 125+ | $1.400 |
| 250+ | $1.290 |
| 500+ | $1.180 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $1.100 |
| 3000+ | $1.040 |
| 6000+ | $1.000 |
| 12000+ | $0.928 |
| 18000+ | $0.902 |
| 30000+ | $0.877 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD3670Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4927
Re-reeling (Rollos a medida)31Y1354RL
Cinta adhesiva31Y1354
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id34A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.032ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.022ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd83W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia83W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDD3670 es un MOSFET de canal N producido mediante el proceso PowerTrench®. Se ha diseñado específicamente para mejorar la eficiencia general de los convertidores de CD a CD mediante el uso de controladores PWM de conmutación síncrona o convencional. Cuenta con una conmutación más rápida y una carga de puerta más baja que otros MOSFET con especificaciones RDS (ON) comparables. El resultado es un MOSFET que es fácil y más seguro de conducir (incluso a frecuencias muy altas) y diseños de fuente de alimentación de CD a CD con mayor eficiencia general.
- Alta velocidad de conmutación
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente
- Carga de puerta baja típica de 57nC
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.032ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
34A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.022ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
83W
Disipación de Potencia
83W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza FDD3670
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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