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FDD1600N10ALZ
MOSFET, N-CH, 100V, 6.8A, TO-252-3
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD1600N10ALZ
No. Parte Newark46AC0764
Rango de ProductoPowerTrench
Su número de pieza
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.680 |
| 10+ | $1.120 |
| 25+ | $1.010 |
| 50+ | $0.902 |
| 100+ | $0.793 |
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Mínimo: 5
Múltiple: 5
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD1600N10ALZ
No. Parte Newark46AC0764
Rango de ProductoPowerTrench
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id6.8
Resistencia de Activación Rds(on)0.124ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.16ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd14.9W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8
Disipación de Potencia14.9
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoPowerTrench
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.124ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
PowerTrench
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
6.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.16ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
14.9W
Disipación de Potencia
14.9
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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