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FDD13AN06A0
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 50 A, 0.0135 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD13AN06A0
No. Parte Newark47T5022
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id50
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0135
Diseño de TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia115
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-252AA
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
50
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0135
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
115
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
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