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FDD10AN06A0
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 50 A, 0.0105 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
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Tiempo de entrega estándar del fabricante47 semanas
No. Parte Newark58K8830
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 47 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $1.460 |
| 5000+ | $1.430 |
| 7500+ | $1.400 |
| 12500+ | $1.370 |
| 25000+ | $1.340 |
| 62500+ | $1.310 |
| 125000+ | $1.280 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 2500
Múltiple: 2500
$3,650.00
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD10AN06A0Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante47 semanas
No. Parte Newark58K8830
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id50
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0105
Resistencia de Activación Rds(on)0.0094ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd135W
Diseño de TransistorTO-252AA
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia135
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDD10AN06A0 es un MOSFET de canal N producido mediante el proceso PowerTrench®. Se ha diseñado específicamente para mejorar la eficiencia general de los convertidores de CD a CD mediante el uso de controladores PWM de conmutación síncrona o convencional. Cuenta con una conmutación más rápida y una carga de puerta más baja que otros MOSFET con especificaciones RDS (ON) comparables. El resultado es un MOSFET que es fácil y más seguro de conducir (incluso a frecuencias muy altas) y diseños de fuente de alimentación de CD a CD con mayor confiabilidad y eficiencia del sistema.
- Baja carga de molinero
- Diodo de cuerpo Qrr bajo
- Capacidad UIS (pulso único y pulso repetitivo)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0105
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
135W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
50
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0094ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-252AA
Disipación de Potencia
135
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto