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FDC6561AN
MOSFET Dual, Canal N, 30 V, 2.5 A, 0.082 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC6561ANCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo67R2043
Re-reeling (Rollos a medida)58K8828RL
Cinta adhesiva58K8828
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2,629 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.070 | $1.07 |
| Total Precio | $1.07 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.070 |
| 50+ | $0.697 |
| 100+ | $0.481 |
| 250+ | $0.435 |
| 500+ | $0.388 |
| 1000+ | $0.358 |
| 2500+ | $0.351 |
| 5000+ | $0.344 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.304 |
| 9000+ | $0.286 |
| 15000+ | $0.280 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC6561ANCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo67R2043
Re-reeling (Rollos a medida)58K8828RL
Cinta adhesiva58K8828
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Intensidad Drenador Continua Id2.5A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N2.5
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.082
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSuperSOT
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N960
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDC6561AN es un MOSFET de nivel lógico de doble canal N producido mediante el proceso avanzado PowerTrench®. Se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado ENCENDIDO y, a la vez, mantener una carga baja en la puerta para un rendimiento de conmutación superior. Es muy adecuado para todas las aplicaciones en las que se desea un tamaño pequeño, pero especialmente para la conversión de CD a CD en sistemas alimentados por baterías.
- Baja carga de compuerta
- Conmutación muy rápida
- Huella pequeña
- Perfil bajo
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
2.5A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
2.5
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.082
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia de Canal N
960
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDC6561AN
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
