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FDC655BN
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 6.3 A, 0.025 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC655BNCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo25AC9531
Hilado completo64K0963
Re-reeling (Rollos a medida)15R3422RL
Cinta adhesiva15R3422
Su número de pieza
1,504 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.825 | $0.82 |
| Total Precio | $0.82 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.825 |
| 50+ | $0.529 |
| 100+ | $0.359 |
| 250+ | $0.323 |
| 500+ | $0.286 |
| 1000+ | $0.262 |
| 2500+ | $0.257 |
| 5000+ | $0.252 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.169 |
| 6000+ | $0.162 |
| 9000+ | $0.155 |
| 15000+ | $0.152 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC655BNCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo25AC9531
Hilado completo64K0963
Re-reeling (Rollos a medida)15R3422RL
Cinta adhesiva15R3422
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id6.3
Resistencia de Activación Rds(on)0.021ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.025
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd1.6W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorSuperSOT
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.9
Disipación de Potencia1.6
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDC655BN es un MOSFET de canal N único de nivel lógico producido mediante el proceso avanzado PowerTrench®. Se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado ON y, al mismo tiempo, mantener un rendimiento de conmutación superior. Es adecuado para aplicaciones de baja tensión y alimentadas por batería, donde se requiere una baja pérdida de energía en línea y una conmutación rápida.
- Conmutación rápida
- Baja carga de compuerta
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.021ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.9
No. de Pines
6Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
6.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.025
Disipación de Potencia Pd
1.6W
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia
1.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDC655BN
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto