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FDC653N
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 5 A, 35 mohm, SuperSOT, Montaje Superficial
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Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 38 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.391 |
| 6000+ | $0.388 |
| 12000+ | $0.385 |
| 18000+ | $0.381 |
| 30000+ | $0.378 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$1,173.00
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC653N
No. Parte Newark67R2042
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente35
Resistencia de Activación Rds(on)0.035ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd1.6W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorSuperSOT
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7
Disipación de Potencia1.6
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El FDC653N es un Power FET de modo de mejora de canal N producido utilizando tecnología DMOS de alta densidad de celdas. Este proceso de muy alta densidad está diseñado para minimizar la resistencia en estado ON. Es particularmente adecuado para aplicaciones de bajo voltaje en tarjetas PCMICA y otros circuitos alimentados por batería, donde se necesita una conmutación rápida y baja pérdida de energía en línea en un paquete de montaje en superficie muy pequeño.
- Diseño de celda de alta densidad para RDS extremadamente bajo (ON)
- Excepcional resistencia de encendido y capacidad máxima de corriente CD
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
35
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7
No. de Pines
6Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
5
Resistencia de Activación Rds(on)
0.035ohm
Disipación de Potencia Pd
1.6W
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia
1.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDC653N
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto