Imprimir página
FDC6401N
MOSFET Dual, Canal N, 20 V, 3 A, 0.07 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC6401NCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo67R2039
Re-reeling (Rollos a medida)82C2449RL
Cinta adhesiva82C2449
Su número de pieza
495 En Inventario
¿Necesita más?
Envío estándar sin costo
en pedidos superiores a $150 Dlls
Entrega prioritaria disponible
si realiza su pedido antes de las 8 p. m. EST.
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.110 | $1.11 |
| Total Precio | $1.11 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.110 |
| 50+ | $0.694 |
| 100+ | $0.457 |
| 250+ | $0.406 |
| 500+ | $0.355 |
| 1000+ | $0.322 |
| 2500+ | $0.316 |
| 5000+ | $0.309 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.335 |
| 9000+ | $0.315 |
| 15000+ | $0.309 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC6401NCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo67R2039
Re-reeling (Rollos a medida)82C2449RL
Cinta adhesiva82C2449
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Intensidad Drenador Continua Id3A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.07
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSuperSOT
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N960
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDC6401N es un MOSFET de doble canal N diseñado específicamente para mejorar la eficiencia general de los convertidores de CD a CD que utilizan controladores PWM de conmutación síncronos o convencionales. Se ha optimizado para carga de puerta baja, RDS bajo (ON) y velocidad de conmutación rápida. El dispositivo es adecuado para su uso con convertidores de CD a CD y aplicaciones protegidas por batería.
- Baja carga de compuerta
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente.
- Voltaje de compuerta a fuente de ±12V
- Corriente continua de drenaje/salida 3A
- Corriente de salida/drenaje pulsada de 12A
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
3A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.07
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia de Canal N
960
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDC6401N
2 productos encontrados
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto