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FDC6401N
MOSFET Dual, Canal N, 20 V, 3 A, 0.07 ohm
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC6401N
No. Parte Newark82C2449
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.130 |
| 25+ | $0.744 |
| 50+ | $0.631 |
| 100+ | $0.518 |
| 250+ | $0.470 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.340 |
| 6000+ | $0.330 |
| 12000+ | $0.305 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC6401N
No. Parte Newark82C2449
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Intensidad Drenador Continua Id3A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.07
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSuperSOT
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N960
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza FDC6401N
2 productos encontrados
Resumen del producto
El FDC6401N es un MOSFET de doble canal N diseñado específicamente para mejorar la eficiencia general de los convertidores de CD a CD que utilizan controladores PWM de conmutación síncronos o convencionales. Se ha optimizado para carga de puerta baja, RDS bajo (ON) y velocidad de conmutación rápida. El dispositivo es adecuado para su uso con convertidores de CD a CD y aplicaciones protegidas por batería.
- Baja carga de compuerta
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente.
- Voltaje de compuerta a fuente de ±12V
- Corriente continua de drenaje/salida 3A
- Corriente de salida/drenaje pulsada de 12A
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
3A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.07
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia de Canal N
960
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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