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FDC3512
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 3 A, 0.077 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC3512Copiar
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4920
Re-reeling (Rollos a medida)82C2440
Cinta adhesiva82C2440
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 3000 | $0.554 | $1,662.00 |
| Total Precio | $1,662.00 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.554 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.424 |
| 6000+ | $0.392 |
| 12000+ | $0.366 |
| 18000+ | $0.341 |
| 30000+ | $0.327 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC3512Copiar
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4920
Re-reeling (Rollos a medida)82C2440
Cinta adhesiva82C2440
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id3A
Resistencia de Activación Rds(on)0.056ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.077ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd1.6W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.4V
Diseño de TransistorSuperSOT
Disipación de Potencia1.6W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDC3512 es un MOSFET de canal N producido mediante el proceso PowerTrench®. Está diseñado específicamente para mejorar la eficiencia general de los convertidores CD a CD utilizando controladores PWM de conmutación sincrónicos o convencionales. Se ha optimizado para carga de puerta baja, RDS bajo (ON) y velocidad de conmutación rápida.
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente.
- Alta velocidad de conmutación
- Carga de puerta baja típica de 13nC
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.056ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.6W
Diseño de Transistor
SuperSOT
No. de Pines
6Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.077ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.4V
Disipación de Potencia
1.6W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza FDC3512
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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