Imprimir página
FDB3632
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 80 A, 0.009 ohm, TO-263AB, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDB3632Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo27AC5659
Re-reeling (Rollos a medida)28H9661
Cinta adhesiva28H9661
Su número de pieza
5,528 En Inventario
¿Necesita más?
728 Entrega en EE. UU. en 1-3 días hábiles. Haga su pedido antes de las 12:30 p. m. EST (hora estandar del este de EE. UU.). Envío estándar.
4800 Stock disponible en el Reino Unido para entrega en 4-6 días laborables.
Pedido antes de las 8 p.m. EST envío estándar
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $4.670 | $4.67 |
| Total Precio | $4.67 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.670 |
| 10+ | $3.260 |
| 25+ | $2.990 |
| 50+ | $2.730 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 800+ | $1.960 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDB3632Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo27AC5659
Re-reeling (Rollos a medida)28H9661
Cinta adhesiva28H9661
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.009
Resistencia de Activación Rds(on)0.009ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd310W
Diseño de TransistorTO-263AB
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia310
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El FDB3632 es un MOSFET de canal N producido mediante el proceso avanzado PowerTrench®. Es adecuado para su uso en rectificación síncrona, circuito de protección de batería e inversor micro solar.
- Baja carga de molinero
- Diodo de cuerpo Qrr bajo
- Capacidad UIS (pulso único y pulso repetitivo)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.009
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
310W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
80
Resistencia de Activación Rds(on)
0.009ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-263AB
Disipación de Potencia
310
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDB3632
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
