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FDB2532
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 33 A, 0.016 ohm, TO-263AB, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDB2532Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo38AH0230
Re-reeling (Rollos a medida)61M6190
Cinta adhesiva61M6190
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $6.040 | $6.04 |
| Total Precio | $6.04 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $6.040 |
| 10+ | $3.860 |
| 25+ | $3.630 |
| 50+ | $3.390 |
| 100+ | $3.160 |
| 250+ | $3.090 |
| 500+ | $3.010 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.260 |
| 1600+ | $2.200 |
| 3200+ | $2.170 |
| 6400+ | $2.140 |
| 12800+ | $2.110 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDB2532Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo38AH0230
Re-reeling (Rollos a medida)61M6190
Cinta adhesiva61M6190
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150
Intensidad Drenador Continua Id33
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.016
Diseño de TransistorTO-263AB
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia310
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-263AB
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
33
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.016
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
310
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDB2532
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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