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FDB047N10
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 120 A, 0.0047 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDB047N10
No. Parte Newark
Hilado completo07P9158
Cinta adhesiva84W8844
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 13 semanas
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 800 | $3.410 | $2,728.00 |
| Total Precio | $2,728.00 | ||
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 50+ | $3.410 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 800+ | $2.530 |
| 1600+ | $2.510 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDB047N10
No. Parte Newark
Hilado completo07P9158
Cinta adhesiva84W8844
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id120
Resistencia de Activación Rds(on)0.0039ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0047
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd375W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5
Disipación de Potencia375
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDB047N10 es un MOSFET de canal N producido mediante el proceso avanzado PowerTrench®. Se ha diseñado para minimizar la resistencia en estado ENCENDIDO mientras se mantiene un rendimiento de conmutación superior. Es adecuado para su uso en rectificación síncrona para PSU ATX/servidor/telecomunicaciones, circuito de protección de batería e inversor micro solar.
- Alta velocidad de conmutación
- Baja carga de compuerta
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente.
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0039ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
375W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
120
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0047
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
375
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza FDB047N10
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
