Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
2,362 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.840 |
| 10+ | $2.710 |
| 25+ | $2.580 |
| 50+ | $2.550 |
| 100+ | $2.520 |
| 250+ | $2.490 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$4.84
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDA59N25
No. Parte Newark04M9075
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds250V
Intensidad Drenador Continua Id59A
Resistencia de Activación Rds(on)0.049ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.049ohm
Diseño de TransistorTO-3P
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd392W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia392W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El FDA59N25 es un MOSFET de canal N UniFET™ producido con tecnología DMOS y banda plana de alto voltaje. Está diseñado para reducir la resistencia en estado ENCENDIDO y para proporcionar un mejor rendimiento de conmutación y una mayor fuerza de energía de avalancha. Es adecuado para cambiar aplicaciones de convertidor de potencia, como corrección de factor de potencia (PFC), alimentación de TV de pantalla plana (FPD), ATX y balastos electrónicos para lámparas.
- Carga de puerta baja típica de 63nC
- Cruce bajo típico 70pF
- Probado avalancha 100%
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
59A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.049ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
392W
Disipación de Potencia
392W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
250V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.049ohm
Diseño de Transistor
TO-3P
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto