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FCD7N60TM

Name: ONSEMI FCD7N60TM
Brand: ONSEMI
SKU: 34M6099
Availability: InStock

MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial

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FabricanteONSEMI

No. Parte FabricanteFCD7N60TM

No. Parte Newark34M6099

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50+	$1.990
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Información del producto

FabricanteONSEMI

No. Parte FabricanteFCD7N60TM

No. Parte Newark34M6099

Hoja de datos técnicos

Data Sheet

Transistor, PolaridadCanal N

Tipo de CanalN Channel

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600

Intensidad Drenador Continua Id7

Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.6

Resistencia de Activación Rds(on)0.53ohm

Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)

Montaje de TransistorSurface Mount

Disipación de Potencia Pd83W

Voltaje de Prueba Rds(on)10

Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5

Disipación de Potencia83

No. de Pines3Pines

Temperatura de Trabajo Máx.150

Rango de Producto-

Calificación-

Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)

Resumen del producto

El FCD7N60TM es un MOSFET de super-unión de alto voltaje SuperFET® de canal N que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una excelente resistencia a la ENCENDIDO baja y un rendimiento de carga de puerta más bajo. Esta tecnología está diseñada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior, tasa de dV/dt y una mayor energía de avalancha. En consecuencia, el MOSFET SuperFET es muy adecuado para las aplicaciones de alimentación conmutada como PFC, alimentación de servidor/telecomunicaciones, alimentación de TV FPD, alimentación ATX y aplicaciones de alimentación industrial.

Carga de puerta ultra baja (Qg = 23nC)
Baja capacitancia de salida efectiva (Coss.eff = 60pF)
Probado avalancha 100%

Especificaciones técnicas

Transistor, Polaridad

Canal N

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds

600

Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente

0.6

Diseño de Transistor

TO-252 (DPAK)

Disipación de Potencia Pd

83W

Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente

No. de Pines

3Pines

Rango de Producto

Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

MSL 1 - Unlimited

Tipo de Canal

N Channel

Intensidad Drenador Continua Id

Resistencia de Activación Rds(on)

0.53ohm

Montaje de Transistor

Surface Mount

Voltaje de Prueba Rds(on)

Disipación de Potencia

Temperatura de Trabajo Máx.

150

Calificación

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)

Lead (25-Jun-2025)

Documentos técnicos (2)

Technical Data Sheet EN

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Legislación y medioambiente

US ECCN:EAR99

EU ECCN:Unknown

Conforme a RoHS:Y-Ex

RoHS

Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí

RoHS

Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)

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