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FCB20N60

Name: ONSEMI FCB20N60
Brand: ONSEMI
SKU: 93K5944
Availability: InStock

MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial

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FabricanteONSEMI

No. Parte FabricanteFCB20N60

No. Parte Newark93K5944

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Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)

Cantidad	Precio
1+	$6.730
10+	$5.930
25+	$5.440
50+	$4.920
100+	$4.270

Hilado completo

Cantidad	Precio
800+	$3.230
1600+	$3.040
3200+	$2.810
4800+	$2.690
8000+	$2.660

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Información del producto

FabricanteONSEMI

No. Parte FabricanteFCB20N60

No. Parte Newark93K5944

Hoja de datos técnicos

Data Sheet

Transistor, PolaridadCanal N

Tipo de CanalN Channel

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V

Intensidad Drenador Continua Id20A

Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.19ohm

Resistencia de Activación Rds(on)0.15ohm

Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)

Montaje de TransistorSurface Mount

Voltaje de Prueba Rds(on)10V

Disipación de Potencia Pd208W

Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V

Disipación de Potencia208W

No. de Pines3Pines

Temperatura de Trabajo Máx.150°C

Rango de Producto-

Calificación-

Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)

Resumen del producto

El FCB20N60 es un MOSFET de super-unión de alto voltaje SuperFET® de canal N que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una excelente resistencia a la ENCENDIDO baja y un rendimiento de carga de puerta más bajo. Esta tecnología está diseñada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior, tasa de dV/dt y una mayor energía de avalancha. En consecuencia, el MOSFET SuperFET es muy adecuado para las aplicaciones de alimentación conmutada como PFC, alimentación de servidor/telecomunicaciones, alimentación de TV FPD, alimentación ATX y aplicaciones de alimentación industrial.

Carga de puerta ultra baja (Qg = 75nC)
Baja capacitancia de salida efectiva (Coss.eff = 165pF)
Probado avalancha 100%

Especificaciones técnicas

Transistor, Polaridad

Canal N

Voltaje de Drenaje-Fuente Vds

600V

Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente

0.19ohm

Diseño de Transistor

TO-263 (D2PAK)

Voltaje de Prueba Rds(on)

10V

Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente

No. de Pines

3Pines

Rango de Producto

Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

MSL 1 - Unlimited

Tipo de Canal

N Channel

Intensidad Drenador Continua Id

20A

Resistencia de Activación Rds(on)

0.15ohm

Montaje de Transistor

Surface Mount

Disipación de Potencia Pd

208W

Disipación de Potencia

208W

Temperatura de Trabajo Máx.

150°C

Calificación

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)

Lead (27-Jun-2024)

Documentos técnicos (1)

Technical Data Sheet EN

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Legislación y medioambiente

US ECCN:EAR99

EU ECCN:Unknown

Conforme a RoHS:Y-Ex

RoHS

Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí

RoHS

Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)

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