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D45C12G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, PNP, 80 V, 4 A, 30 W, TO-220AB
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteD45C12G
No. Parte Newark71J3834
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 4 semanas
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteD45C12G
No. Parte Newark71J3834
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor80
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo80V
Corriente del Colector Continua4
Disipación de Potencia30
Disipación de Potencia Pd30W
Corriente de Colector DC4A
Ganancia de Corriente DC hFE120hFE
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Diseño de TransistorTO-220AB
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición40
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.120
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
80V
Disipación de Potencia
30
Corriente de Colector DC
4A
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
120
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80
Corriente del Colector Continua
4
Disipación de Potencia Pd
30W
Ganancia de Corriente DC hFE
120hFE
Diseño de Transistor
TO-220AB
Frecuencia de Transición
40
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
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RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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