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BUB323ZT4G
BIPOLAR TRANSISTOR, DARLI.
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| 100+ | $2.220 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBUB323ZT4G
No. Parte Newark71AC2864
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo350V
Frecuencia de Transición0
Disipación de Potencia Pd150W
Corriente del Colector Continua0
Disipación de Potencia0
Corriente de Colector DC10A
Encapsulado de Transistor RFTO-263 (D2PAK)
No. de Pines3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE500hFE
Diseño de Transistor0
Montaje de TransistorSurface Mount
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.0
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
350V
Disipación de Potencia Pd
150W
Disipación de Potencia
0
Encapsulado de Transistor RF
TO-263 (D2PAK)
Ganancia de Corriente DC hFE
500hFE
Montaje de Transistor
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
0
Voltaje Máx. Colector a Emisor
0
Frecuencia de Transición
0
Corriente del Colector Continua
0
Corriente de Colector DC
10A
No. de Pines
3Pines
Diseño de Transistor
0
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
0
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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