Imprimir página
BSS138LT3G
MOSFET de Potencia, Canal N, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBSS138LT3G
No. Parte Newark09R9392
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
14,523 En Inventario
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.295 |
| 50+ | $0.188 |
| 100+ | $0.122 |
| 250+ | $0.108 |
| 500+ | $0.094 |
| 1000+ | $0.085 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 10000+ | $0.061 |
| 20000+ | $0.059 |
| 40000+ | $0.057 |
| 60000+ | $0.054 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBSS138LT3G
No. Parte Newark09R9392
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50
Intensidad Drenador Continua Id200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3.5
Resistencia de Activación Rds(on)5.6ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)2.75
Disipación de Potencia Pd225mW
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente500
Disipación de Potencia225
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El BSS138LT3G es un MOSFET de potencia de canal N con bajo voltaje de umbral e ideal para aplicaciones de bajo voltaje. El paquete de montaje en superficie en miniatura ahorra espacio en la tarjeta.
- Voltaje continuo de puerta a fuente ±20VCD
- Resistencia térmica de unión a ambiente 556°C/W
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3.5
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
225mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
500
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
200
Resistencia de Activación Rds(on)
5.6ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
2.75
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
225
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BSS138LT3G
5 productos encontrados
Productos relacionados
6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
WARNINGProposition 65