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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBSS123Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante33 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo40P2803
Re-reeling (Rollos a medida)58K8768RL
Cinta adhesiva58K8768
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.389 | $0.39 |
| Total Precio | $0.39 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.389 |
| 50+ | $0.180 |
| 100+ | $0.160 |
| 250+ | $0.142 |
| 500+ | $0.123 |
| 1000+ | $0.121 |
| 2500+ | $0.118 |
| 5000+ | $0.116 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.088 |
| 6000+ | $0.086 |
| 9000+ | $0.084 |
| 15000+ | $0.083 |
| 30000+ | $0.081 |
| 75000+ | $0.079 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBSS123Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante33 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo40P2803
Re-reeling (Rollos a medida)58K8768RL
Cinta adhesiva58K8768
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id170
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6
Resistencia de Activación Rds(on)1.2ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd360mW
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7
Disipación de Potencia360
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El BSS123 es un transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel lógico de canal N en paquete SOT-23. Este producto está diseñado para minimizar la resistencia al estado mientras que proporciona un rendimiento de conmutación robusto, confiable y rápido, por lo que BSS123 es adecuado para aplicaciones de bajo voltaje y baja corriente como el control de servomotor pequeño, controladores de compuerta MOSFET de potencia y otras aplicaciones de conmutación.
- Voltaje drenaje-fuente (Vds) de 100V
- Voltaje de compuerta a fuente de ± 20V
- Baja resistencia al estado de 1.2ohm a Vgs 10V
- Corriente continua de drenaje de 170mA
- Potencia de disipación máxima de 360mW
- La temperatura de funcionamiento de unión es desde -55°C hasta 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
360mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
170
Resistencia de Activación Rds(on)
1.2ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
360
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BSS123
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
