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BS170-D27Z
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 500 mA, 5 ohm, TO-92, Agujero Pasante
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBS170-D27ZCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4601
Re-reeling (Rollos a medida)31Y0565RL
Cinta adhesiva31Y0565
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377 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.539 | $0.54 |
| Total Precio | $0.54 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.539 |
| 50+ | $0.344 |
| 100+ | $0.228 |
| 250+ | $0.203 |
| 500+ | $0.178 |
| 1000+ | $0.162 |
| 2500+ | $0.159 |
| 5000+ | $0.156 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2000+ | $0.133 |
| 3000+ | $0.126 |
| 6000+ | $0.114 |
| 12000+ | $0.104 |
| 18000+ | $0.098 |
| 30000+ | $0.091 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBS170-D27ZCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4601
Re-reeling (Rollos a medida)31Y0565RL
Cinta adhesiva31Y0565
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id500mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5ohm
Resistencia de Activación Rds(on)1.2ohm
Diseño de TransistorTO-92
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd830mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.1V
Disipación de Potencia830mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El BS170_D27Z es un FET de modo de mejora de canal N producido utilizando tecnología DMOS de alta densidad celular. Está diseñado para minimizar la resistencia en estado ON al tiempo que proporciona un rendimiento de conmutación robusto, confiable y rápido. Se puede usar en la mayoría de las aplicaciones que requieren hasta 500mA CD. Es especialmente adecuado para aplicaciones de baja tensión y baja corriente, como controladores de compuerta MOSFET de potencia y otras aplicaciones de conmutación.
- Diseño de celda de alta densidad para bajo RDS (ON)
- Interruptor de señal pequeña controlado por voltaje
- Resistente y confiable
- Alta capacidad a corriente de saturación
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5ohm
Diseño de Transistor
TO-92
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.1V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
500mA
Resistencia de Activación Rds(on)
1.2ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
830mW
Disipación de Potencia
830mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BS170-D27Z
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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