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BF256B
TRANSISTOR, JFET, N-C, 30V, TO-92
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBF256BCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark31Y0551
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.237 |
| 10+ | $0.142 |
| 100+ | $0.112 |
| 500+ | $0.106 |
| 1000+ | $0.101 |
| 2500+ | $0.096 |
| 10000+ | $0.092 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBF256BCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark31Y0551
Hoja de datos técnicos
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-30V
Voltaje de Ruptura Vbr0
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula0
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero13mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-8V
Diseño de TransistorTO-92
No. de Pines3 Pin
Tipo de Transistor0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Tipo de CanalN Channel
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El BF256B es un amplificador de RF JFET de canal N. Este dispositivo está diseñado para amplificadores VHF / UHF.
- Procedente del proceso 50
- Voltaje de compuerta de drenaje de 30 V (TA = 25 °C), corriente de compuerta directa de 10mA (TA = 25 °C)
- El voltaje mínimo de ruptura de la fuente de compuerta es -30V (VDS = 0, IG = 1µA)
- Rango de voltaje de corte de la fuente de compuerta de -0.5 a -8.0V (TA = 25 °C, VDS = 15 V, ID = 10nA)
- La corriente inversa de la compuerta es de -5nA máx. (VGS = -20V, VDS = 0, TA = 25 °C)
- Rango de corriente de drenaje de voltaje de compuerta cero de 6 a 13mA (VDS = 15V, VGS = 0, TA = 25 °C)
- La disipación total del dispositivo a TA = 25 °C es 350mW
- Paquete TO-92-3, rango de temperatura de funcionamiento de -55 a 150°C
Especificaciones técnicas
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-30V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
0
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-8V
No. de Pines
3 Pin
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Montaje de Transistor
Through Hole
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Ruptura Vbr
0
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
13mA
Diseño de Transistor
TO-92
Tipo de Transistor
0
Tipo de Canal
N Channel
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (4)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto