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BD244BG
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 80 V, 6 A, 65 W, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBD244BG
No. Parte Newark26K3506
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBD244BG
No. Parte Newark26K3506
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo80V
Voltaje Máx. Colector a Emisor80
Corriente del Colector Continua6
Disipación de Potencia65
Disipación de Potencia Pd65W
Corriente de Colector DC6A
Ganancia de Corriente DC hFE30hFE
Montaje de TransistorAgujero Pasante
No. de Pines3Pines
Diseño de TransistorTO-220
Frecuencia de Transición3
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.30
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80
Disipación de Potencia
65
Corriente de Colector DC
6A
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Diseño de Transistor
TO-220
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
30
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
80V
Corriente del Colector Continua
6
Disipación de Potencia Pd
65W
Ganancia de Corriente DC hFE
30hFE
No. de Pines
3Pines
Frecuencia de Transición
3
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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Certificado de conformidad del producto