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BC846BLT1G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBC846BLT1G
No. Parte Newark88H4565
Rango de ProductoSerie BCxxx
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
42,265 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.125 |
| 25+ | $0.080 |
| 50+ | $0.066 |
| 100+ | $0.051 |
| 250+ | $0.045 |
| 500+ | $0.038 |
| 1000+ | $0.034 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.027 |
| 6000+ | $0.026 |
| 12000+ | $0.024 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBC846BLT1G
No. Parte Newark88H4565
Rango de ProductoSerie BCxxx
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo65V
Voltaje Máx. Colector a Emisor65V
Corriente del Colector Continua100mA
Disipación de Potencia Pd300mW
Disipación de Potencia300mW
Corriente de Colector DC100mA
Ganancia de Corriente DC hFE200hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines3Pines
Diseño de TransistorSOT-23
Frecuencia de Transición100MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.200hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
CalificaciónAEC-Q101
Rango de ProductoSerie BCxxx
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El BC846BLT1G es un transistor bipolar de silicio NPN de 65V diseñado para su uso en aplicaciones lineales y de conmutación. El dispositivo es adecuado para aplicaciones de montaje en superficie de menor potencia, protección contra ESD, protección contra inversión de polaridad, protección de línea de datos, protección de carga inductiva y lógica de dirección.
- Sin Halógenos/libre de BFR
- Clasificación ESD - <gt/> modelo de cuerpo humano de 4000V, <gt/> modelo de máquina de 400V
- Voltaje de colector a base (VCBO) de 80V
- Voltaje de emisor a base (VEBO) de 6V
- Resistencia térmica de 556°C/W, unión a ambiente
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
65V
Disipación de Potencia Pd
300mW
Corriente de Colector DC
100mA
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Diseño de Transistor
SOT-23
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
200hFE
Calificación
AEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
65V
Corriente del Colector Continua
100mA
Disipación de Potencia
300mW
Ganancia de Corriente DC hFE
200hFE
No. de Pines
3Pines
Frecuencia de Transición
100MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
Serie BCxxx
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BC846BLT1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
WARNINGProposition 65