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BC559
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 30 V, 100 mA, 500 mW, TO-92, Agujero Pasante
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBC559
No. Parte Newark18C5847
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Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBC559
No. Parte Newark18C5847
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo30V
Voltaje Máx. Colector a Emisor30
Corriente del Colector Continua100
Corriente de Colector DC100mA
Disipación de Potencia500
Disipación de Potencia Pd500mW
Ganancia de Corriente DC hFE110hFE
Montaje de TransistorAgujero Pasante
No. de Pines3Pines
Diseño de TransistorTO-92
Frecuencia de Transición150
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.110
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
30
Corriente de Colector DC
100mA
Disipación de Potencia Pd
500mW
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Diseño de Transistor
TO-92
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
110
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
30V
Corriente del Colector Continua
100
Disipación de Potencia
500
Ganancia de Corriente DC hFE
110hFE
No. de Pines
3Pines
Frecuencia de Transición
150
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto