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50C02CH-TL-E
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 50 V, 500 mA, 700 mW, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante50C02CH-TL-E
No. Parte Newark99AC7143
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.654 |
| 10+ | $0.419 |
| 25+ | $0.374 |
| 50+ | $0.328 |
| 100+ | $0.283 |
| 250+ | $0.254 |
| 500+ | $0.225 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante50C02CH-TL-E
No. Parte Newark99AC7143
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo50V
Voltaje Máx. Colector a Emisor50
Corriente del Colector Continua500
Disipación de Potencia700
Disipación de Potencia Pd700mW
Corriente de Colector DC500mA
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Ganancia de Corriente DC hFE300hFE
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición500
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.300
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
50
Disipación de Potencia
700
Corriente de Colector DC
500mA
Montaje de Transistor
Surface Mount
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
300
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
50V
Corriente del Colector Continua
500
Disipación de Potencia Pd
700mW
Diseño de Transistor
SOT-23
Ganancia de Corriente DC hFE
300hFE
Frecuencia de Transición
500
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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