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2SC5200OTU
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 250 V, 17 A, 150 W, TO-264, Agujero Pasante
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FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2SC5200OTU
No. Parte Newark31Y5856
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $7.020 |
| 10+ | $4.380 |
| 25+ | $4.230 |
| 50+ | $4.070 |
| 100+ | $3.920 |
| 250+ | $3.880 |
| 750+ | $3.830 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2SC5200OTU
No. Parte Newark31Y5856
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor250V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo250V
Corriente del Colector Continua17A
Disipación de Potencia Pd150W
Disipación de Potencia150W
Corriente de Colector DC17A
Diseño de TransistorTO-264
Ganancia de Corriente DC hFE80hFE
Montaje de TransistorThrough Hole
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición30MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.80hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El 2SC5200OTU es un Transistor Epitaxial de Silicio NPN de 250 V que ofrece una alta capacidad de corriente y una alta disipación de potencia. Adecuado para amplificador de salida de audio de alta fidelidad y aplicaciones de amplificador de potencia de uso general. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.
- Excelente linealidad de ganancia para baja THD
- Complemento del 2SA1943/FJL4215
- Amplio SOA para operación confiable
- Disipación de alta potencia (150W)
- Alta frecuencia (30MHz)
- Alto voltaje (VCEO=250V)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
250V
Disipación de Potencia Pd
150W
Corriente de Colector DC
17A
Ganancia de Corriente DC hFE
80hFE
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
80hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje Máx. Colector a Emisor
250V
Corriente del Colector Continua
17A
Disipación de Potencia
150W
Diseño de Transistor
TO-264
Montaje de Transistor
Through Hole
Frecuencia de Transición
30MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza 2SC5200OTU
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto