Imprimir página
2N7002K
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N7002KCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6734
Re-reeling (Rollos a medida)31Y5852RL
Cinta adhesiva31Y5852
Su número de pieza
107,130 En Inventario
12,000 Puede reservar stock ahora
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.338 | $0.34 |
| Total Precio | $0.34 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.338 |
| 50+ | $0.214 |
| 100+ | $0.140 |
| 250+ | $0.124 |
| 500+ | $0.107 |
| 1000+ | $0.096 |
| 2500+ | $0.094 |
| 5000+ | $0.092 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.063 |
| 6000+ | $0.060 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N7002KCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6734
Re-reeling (Rollos a medida)31Y5852RL
Cinta adhesiva31Y5852
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id300mA
Resistencia de Activación Rds(on)2ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd350mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia350mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El 2N7002K es un transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N que presenta baja resistencia, voltaje de umbral de puerta bajo, capacitancia de entrada baja y velocidad de conmutación rápida.
- Fuga baja de entrada/salida
- Voltaje de compuerta a fuente de ±20V
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
2ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
350mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
300mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
350mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza 2N7002K
6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto