Imprimir página
2N5551BU
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N5551BU
No. Parte Newark98K6258
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
4,096 En Inventario
¿Necesita más?
1115 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
2981 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Pedido antes de las 9 p.m. EST envío estándar
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.258 |
| 10+ | $0.161 |
| 100+ | $0.094 |
| 500+ | $0.069 |
| 1000+ | $0.055 |
| 2500+ | $0.048 |
| 10000+ | $0.042 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.26
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N5551BU
No. Parte Newark98K6258
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor160
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo160V
Corriente del Colector Continua600
Disipación de Potencia625
Disipación de Potencia Pd625mW
Corriente de Colector DC600mA
Diseño de TransistorTO-92
Montaje de TransistorThrough Hole
Ganancia de Corriente DC hFE80hFE
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición150
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.80
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The 2N5551 from Fairchild is a through hole, NPN general purpose amplifier in TO-92 package. Este dispositivo está diseñado para amplificadores de alto voltaje de uso general y controladores de pantalla de descarga de gas.
- Colector a voltaje de ruptura del emisor de 160V
- Voltaje de saturación de colector a emisor de 200mV a 50mA de corriente de colector
- Disipación de potencia de 625mW
- Corriente de colector de corriente continua de 600mA
- Ganancia de corriente CD de 30 con Ic=50mA
- Rango de temperatura de unión operativa de -55°C a 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
160V
Disipación de Potencia
625
Corriente de Colector DC
600mA
Montaje de Transistor
Through Hole
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
80
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. Colector a Emisor
160
Corriente del Colector Continua
600
Disipación de Potencia Pd
625mW
Diseño de Transistor
TO-92
Ganancia de Corriente DC hFE
80hFE
Frecuencia de Transición
150
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza 2N5551BU
3 productos encontrados
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65