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2N5459
MOSFET de Potencia, Canal N, 15 V, 16 mA, TO-92, Agujero Pasante
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FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N5459
No. Parte Newark18C9216
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N5459
No. Parte Newark18C9216
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds15
Intensidad Drenador Continua Id16
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente-
Resistencia de Activación Rds(on)-
Voltaje de Prueba Rds(on)-
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd625mW
Diseño de TransistorTO-92
Disipación de Potencia625
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
15
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
-
Voltaje de Prueba Rds(on)
-
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Diseño de Transistor
TO-92
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
16
Resistencia de Activación Rds(on)
-
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-
Disipación de Potencia Pd
625mW
Disipación de Potencia
625
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto