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2N5195G
TRANSISTOR, PNP, 80V, 4A, TO-225
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N5195G
No. Parte Newark39K1518
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor80V
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua4A
Disipación de Potencia40W
Disipación de Potencia Pd0
Diseño de TransistorTO-225
Ganancia de Corriente DC hFE0
Montaje de TransistorThrough Hole
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición2MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.80hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80V
Corriente del Colector Continua
4A
Disipación de Potencia Pd
0
Ganancia de Corriente DC hFE
0
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
80hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente de Colector DC
0
Disipación de Potencia
40W
Diseño de Transistor
TO-225
Montaje de Transistor
Through Hole
Frecuencia de Transición
2MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (4)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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