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2N5195G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Agujero Pasante
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FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N5195G
No. Parte Newark39K1518
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.686 |
| 10+ | $0.683 |
| 100+ | $0.605 |
| 500+ | $0.537 |
| 1000+ | $0.517 |
| 2500+ | $0.497 |
| 10000+ | $0.474 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N5195G
No. Parte Newark39K1518
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor80
Corriente del Colector Continua4
Corriente de Colector DC0
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia40
Diseño de TransistorTO-225
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Ganancia de Corriente DC hFE0
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición2
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.20
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80
Corriente de Colector DC
0
Disipación de Potencia
40
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
20
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
4
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
TO-225
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Frecuencia de Transición
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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