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2N5195G
TRANSISTOR, PNP, 80V, 4A, TO-225
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N5195G
No. Parte Newark39K1518
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor80V
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua4A
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia40W
Diseño de TransistorTO-225
Montaje de TransistorThrough Hole
Ganancia de Corriente DC hFE0
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición2MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.80hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80V
Corriente del Colector Continua
4A
Disipación de Potencia
40W
Montaje de Transistor
Through Hole
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
80hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente de Colector DC
0
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
TO-225
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Frecuencia de Transición
2MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (4)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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