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NVTFWS014P04M8LTAG
MOSFET, P-CH, 40V, 49A, 175DEG C, 61W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVTFWS014P04M8LTAG
No. Parte Newark54AH9547
Hoja de datos técnicos
1,725 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.440 |
| 10+ | $0.985 |
| 25+ | $0.918 |
| 50+ | $0.852 |
| 100+ | $0.785 |
| 250+ | $0.724 |
| 500+ | $0.663 |
| 1000+ | $0.627 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVTFWS014P04M8LTAG
No. Parte Newark54AH9547
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id49A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.01ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorWDFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.4V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia61W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.01ohm
Diseño de Transistor
WDFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
49A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.4V
Disipación de Potencia
61W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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