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NVTFS5826NLTWG
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 20 A, 0.024 ohm, WDFN, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVTFS5826NLTWG
No. Parte Newark13AC6224
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVTFS5826NLTWG
No. Parte Newark13AC6224
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.024
Resistencia de Activación Rds(on)0.019ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd22W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorWDFN
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia22
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
CalificaciónAEC-Q101
Rango de Producto-
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.024
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
8Pines
Calificación
AEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.019ohm
Disipación de Potencia Pd
22W
Diseño de Transistor
WDFN
Disipación de Potencia
22
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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Certificado de conformidad del producto