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NVMFS5C628NT1G
MOSFET, N-CH, 60V, 150A, 175DEG C, 110W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMFS5C628NT1G
No. Parte Newark54AH9537
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.630 |
| 10+ | $2.310 |
| 25+ | $2.150 |
| 50+ | $2.010 |
| 100+ | $1.850 |
| 250+ | $1.780 |
| 500+ | $1.710 |
| 1000+ | $1.550 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMFS5C628NT1G
No. Parte Newark54AH9537
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id150A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.003ohm
Diseño de TransistorDFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia110W
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
DFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
5Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
150A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.003ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia
110W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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