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NVMFD5C672NLT1G
MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 60V, DFN-8
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMFD5C672NLT1G
No. Parte Newark48AC1750
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.170 |
| 10+ | $2.060 |
| 25+ | $1.840 |
| 50+ | $1.640 |
| 100+ | $1.420 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMFD5C672NLT1G
No. Parte Newark48AC1750
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N49A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P49A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0119ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorDFN
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N45W
Disipación de Potencia de Canal P45W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
49A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
45W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
49A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0119ohm
Diseño de Transistor
DFN
Disipación de Potencia de Canal N
45W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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