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NVMFD5C668NLT1G
MOSFET, DUAL N-CH, 60V, 68A, DFN
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.360 |
| 10+ | $2.870 |
| 25+ | $2.590 |
| 50+ | $2.310 |
| 100+ | $2.030 |
| 250+ | $1.940 |
| 500+ | $1.840 |
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMFD5C668NLT1G
No. Parte Newark62AC7372
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N68A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P68A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0065ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorDFN
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N57.5W
Disipación de Potencia de Canal P57.5W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
68A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
57.5W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
68A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0065ohm
Diseño de Transistor
DFN
Disipación de Potencia de Canal N
57.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
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