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NVF2955T1G
MOSFET, P-CH, -60V, -2.6A, SOT-223
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVF2955T1G
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)02AC3819
Cinta adhesiva02AC3819
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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| 25+ | $0.915 |
| 50+ | $0.825 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVF2955T1G
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)02AC3819
Cinta adhesiva02AC3819
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds-60
Intensidad Drenador Continua Id-2.6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.145
Resistencia de Activación Rds(on)0.145ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd2.3W
Voltaje de Prueba Rds(on)-10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-4
Disipación de Potencia2.3
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
-60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.145
Diseño de Transistor
SOT-223
Disipación de Potencia Pd
2.3W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-4
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
-2.6
Resistencia de Activación Rds(on)
0.145ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
-10
Disipación de Potencia
2.3
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NVF2955T1G
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