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NTTFS1D8N02P1E
MOSFET, N-CH, 25V, 150A, PQFN ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTTFS1D8N02P1E
No. Parte Newark82AH7668
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.410 |
| 10+ | $2.560 |
| 25+ | $2.350 |
| 50+ | $2.130 |
| 100+ | $1.920 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTTFS1D8N02P1E
No. Parte Newark82AH7668
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25V
Intensidad Drenador Continua Id150A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1300µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPQFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia46W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1300µohm
Diseño de Transistor
PQFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
150A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
Disipación de Potencia
46W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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