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NTR4502PT1G
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 1.95 A, 0.2 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTR4502PT1G
No. Parte Newark
Hilado completo98H0966
Cinta adhesiva10N9589
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.299 |
| 25+ | $0.197 |
| 50+ | $0.178 |
| 100+ | $0.159 |
| 250+ | $0.157 |
| 500+ | $0.155 |
| 1000+ | $0.148 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.112 |
| 6000+ | $0.107 |
| 12000+ | $0.106 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTR4502PT1G
No. Parte Newark
Hilado completo98H0966
Cinta adhesiva10N9589
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id1.95
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.2
Resistencia de Activación Rds(on)0.2ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd1.25W
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia1.25
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza NTR4502PT1G
2 productos encontrados
Resumen del producto
El NTR4502PT1G es un MOSFET de potencia de canal P que ofrece un voltaje de fuente de drenaje de -30 V y una corriente de drenaje continua de -1.95A. Es adecuado para conversión de CD a CD, interruptor de carga/alimentación para portátiles y computación, placa base, portátiles, videocámaras, cámaras digitales y circuitos de carga de batería.
- Tecnología plana líder para carga de puerta baja/conmutación rápida
- Bajo RDS (ON) para bajas pérdidas de conducción
- Montaje en superficie para espacios reducidos (3 x 3mm)
- Rango de temperatura de unión de operación entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.2
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.25W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
1.95
Resistencia de Activación Rds(on)
0.2ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
1.25
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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