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NTMT190N65S3H
MOSFET, N-CH, 650V, 16A, TDFN ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMT190N65S3H
No. Parte Newark50AJ5902
Rango de ProductoSUPERFET III
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
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| 10+ | $4.290 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMT190N65S3H
No. Parte Newark50AJ5902
Rango de ProductoSUPERFET III
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id16A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.156ohm
Diseño de TransistorTDFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia129W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoSUPERFET III
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TDFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
129W
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
SUPERFET III
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
16A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.156ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
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