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NTMFS008N12MCT1G
MOSFET, N-CH, 120V, 79A, SOIC ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMFS008N12MCT1G
No. Parte Newark50AJ5893
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.610 |
| 10+ | $1.600 |
| 25+ | $1.500 |
| 50+ | $1.420 |
| 100+ | $1.330 |
| 250+ | $1.290 |
| 500+ | $1.250 |
| 1000+ | $1.060 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMFS008N12MCT1G
No. Parte Newark50AJ5893
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds120V
Intensidad Drenador Continua Id79A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6500µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia102W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
120V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6500µohm
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
102W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
79A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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