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NTMFS005N10MCLT1G
MOSFET, N-CH, 100V, 105A, DFN ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMFS005N10MCLT1G
No. Parte Newark32AJ8447
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.680 |
| 10+ | $1.820 |
| 25+ | $1.650 |
| 50+ | $1.480 |
| 100+ | $1.310 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMFS005N10MCLT1G
No. Parte Newark32AJ8447
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id105A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4200µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorDFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia125W
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4200µohm
Diseño de Transistor
DFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
5Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
105A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia
125W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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