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NTHD3100CT1G
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.064 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTHD3100CT1G
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5823
Re-reeling (Rollos a medida)50AC6487
Cinta adhesiva50AC6487
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 21 semanas
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.610 |
| 10+ | $1.000 |
| 25+ | $0.891 |
| 50+ | $0.779 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.670 |
| 6000+ | $0.623 |
| 12000+ | $0.577 |
| 18000+ | $0.562 |
| 30000+ | $0.553 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTHD3100CT1G
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5823
Re-reeling (Rollos a medida)50AC6487
Cinta adhesiva50AC6487
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N3.9A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3.9A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.064ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.064ohm
Diseño de TransistorChipFET
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.1W
Disipación de Potencia de Canal P1.1W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The NTHD3100CT1G is a N/P-channel Complementary MOSFET ideal for portable battery powered products. The device is designed for DC-to DC conversion circuits, load switch applications requiring level shift and drive small brushless DC motor applications.
- Small size
- 40% Smaller then TSOP-6 package
- Trench P-channel for low ON-resistance
- Low gate charge N-channel for test switching
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3.9A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.064ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.1W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
3.9A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.064ohm
Diseño de Transistor
ChipFET
Disipación de Potencia de Canal N
1.1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza NTHD3100CT1G
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto