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NTD20N03L27T4G
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 20 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTD20N03L27T4G
No. Parte Newark90W9302
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Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTD20N03L27T4G
No. Parte Newark90W9302
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.027
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.6
Disipación de Potencia74
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
20
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
5
Disipación de Potencia
74
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.027
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.6
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NTD20N03L27T4G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
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RoHS
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RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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