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NSBA123JDP6T5G
Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, PNP Doble, 50 V, 100 mA
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNSBA123JDP6T5G
No. Parte Newark49X8924
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Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNSBA123JDP6T5G
No. Parte Newark49X8924
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP Doble
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor-
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor50V
Corriente del Colector Continua100mA
Resitencia Básica de Entrada R1-
Resistencia R2 Base Emisor-
Diseño de TransistorSOT-963
No. de Pines6 Pines
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia408mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.80hFE
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (14-Jun-2023)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP Doble
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
50V
Resitencia Básica de Entrada R1
-
Diseño de Transistor
SOT-963
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
-
Corriente del Colector Continua
100mA
Resistencia R2 Base Emisor
-
No. de Pines
6 Pines
Disipación de Potencia
408mW
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
80hFE
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (14-Jun-2023)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (14-Jun-2023)
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