Imprimir página
NDT456P
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 7.5 A, 30 mohm, SOT-223, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNDT456P
No. Parte Newark
Hilado completo58K8104
Cinta adhesiva58K9485
Su número de pieza
8,460 En Inventario
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.898 | $0.90 |
| Total Precio | $0.90 | ||
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio | Precio promocional |
|---|---|---|
| 1+ | $2.040 | $0.898 |
| 25+ | $1.140 | $0.898 |
| 50+ | $0.988 | $0.898 |
| 100+ | $0.832 | $0.832 |
| 250+ | $0.759 | $0.759 |
| 500+ | $0.686 | $0.686 |
| 1000+ | $0.639 | $0.639 |
| 2500+ | $0.608 | $0.608 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 4000+ | $0.540 |
| 8000+ | $0.531 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNDT456P
No. Parte Newark
Hilado completo58K8104
Cinta adhesiva58K9485
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id7.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente30
Resistencia de Activación Rds(on)0.026ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd3W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5
Diseño de TransistorSOT-223
Disipación de Potencia3
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza NDT456P
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
El NDT456P es un transistor de efecto de campo de modo de mejora de nivel de canal P que utiliza tecnología DMOS de alta densidad celular. Este proceso de muy alta densidad se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado activado y proporcionar un rendimiento de conmutación superior.
- Diseño de celda de alta densidad para RDS extremadamente bajo (ON)
- Alta potencia y capacidad de manejo de corriente.
- Voltaje de compuerta a fuente de ±20V
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
30
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOT-223
No. de Pines
4Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
7.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0.026ohm
Disipación de Potencia Pd
3W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5
Disipación de Potencia
3
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
