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MMBTA06LT1G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, NPN, 80 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBTA06LT1G
No. Parte Newark
Hilado completo67R1329
Cinta adhesiva98H0741
Rango de ProductoSerie MMBTxxxx
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18,263 En Inventario
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Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.252 |
| 25+ | $0.233 |
| 50+ | $0.218 |
| 100+ | $0.204 |
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Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.183 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBTA06LT1G
No. Parte Newark
Hilado completo67R1329
Cinta adhesiva98H0741
Rango de ProductoSerie MMBTxxxx
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo80V
Voltaje Máx. Colector a Emisor80
Corriente del Colector Continua500
Disipación de Potencia Pd300mW
Disipación de Potencia300
Corriente de Colector DC500mA
Ganancia de Corriente DC hFE100hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines3Pines
Diseño de TransistorSOT-23
Frecuencia de Transición100
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.100
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de ProductoSerie MMBTxxxx
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (14-Jun-2023)
Alternativas para el número de pieza MMBTA06LT1G
3 productos encontrados
Resumen del producto
El MMBTA06LT1G es un transistor controlador.
- El voltaje colector-emisor es 80VCD mínimo (IC = 1.0mAdc, IB = 0, TA = 25 °C)
- El voltaje de ruptura de la base del emisor es 4.0VCD mínimo (IE = 100ACD, IC = 0, TA = 25 °C
- Corriente del colector: continua es de 500mAcd
- Descarga electrostática HBM Clase 3B, MM Clase C, CDM Clase IV
- La tarjeta FR-5 de disipación total del dispositivo es de 225 mW máx. (TA = 25 °C)
- La resistencia térmica, unión-ambiente es de 556 °C/W máx.
- La ganancia de corriente CD es de 100 min (IC = 10 mAdc, VCE = 1.0VCD, TA = 25 °C)
- Ganancia de corriente: el producto de ancho de banda es de 100MHz mínimo (IC = 10 mA, VCE = 2.0 V, f = 100 MHz, TA = 25 °C)
- Encapsulado SOT-23
- Rango de temperatura de unión de -55 a +150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80
Disipación de Potencia Pd
300mW
Corriente de Colector DC
500mA
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Diseño de Transistor
SOT-23
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
100
Calificación
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (14-Jun-2023)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
80V
Corriente del Colector Continua
500
Disipación de Potencia
300
Ganancia de Corriente DC hFE
100hFE
No. de Pines
3Pines
Frecuencia de Transición
100
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
Serie MMBTxxxx
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (14-Jun-2023)
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