Imprimir página
MMBF4393LT1G
Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, 30 V, 30 mA, -3 V, SOT-23, 3 Pines, 150 °C
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBF4393LT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark29X6099
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 16 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.121 |
| 9000+ | $0.119 |
| 15000+ | $0.116 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$363.00
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMMBF4393LT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark29X6099
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Ruptura Vbr30V
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente30
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero30
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula5mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-3
Diseño de TransistorSOT-23
Temperatura de Trabajo Máx.150
Tipo de TransistorJFET
No. de Pines3 Pines
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorMontaje Superficial
CalificaciónAEC-Q101
Rango de Producto-
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The MMBF4393LT1G is a N-channel JFET Switching Transistor designed for analogue switching and chopper applications.
- 30VDC Drain-source voltage
- 30VDC Drain-gate voltage
- 30VDC Gate-source voltage
- 50mA Forward gate current
Especificaciones técnicas
Voltaje de Ruptura Vbr
30V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
30
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-3
Temperatura de Trabajo Máx.
150
No. de Pines
3 Pines
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
30
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
5mA
Diseño de Transistor
SOT-23
Tipo de Transistor
JFET
Tipo de Canal
Canal N
Calificación
AEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza MMBF4393LT1G
2 productos encontrados
Productos relacionados
7 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
