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MJE13003G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 400 V, 1.5 A, 1.4 W, TO-126, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJE13003G
No. Parte Newark71J5859
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo400V
Voltaje Máx. Colector a Emisor400
Corriente del Colector Continua1.5
Disipación de Potencia1.4
Disipación de Potencia Pd1.4W
Corriente de Colector DC1.5A
Ganancia de Corriente DC hFE4hFE
Montaje de TransistorAgujero Pasante
No. de Pines3Pines
Diseño de TransistorTO-126
Frecuencia de Transición10
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.4
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
400
Disipación de Potencia
1.4
Corriente de Colector DC
1.5A
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Diseño de Transistor
TO-126
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
4
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
400V
Corriente del Colector Continua
1.5
Disipación de Potencia Pd
1.4W
Ganancia de Corriente DC hFE
4hFE
No. de Pines
3Pines
Frecuencia de Transición
10
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto